美光 宣布 ，推出12层垂直堆叠的HBM3E，拥有36GB容量，面向用于人工智能（AI）和高性能计算（HPC）工作负载，比如英伟达H200与B100/B200 GPU产品。美光表示，相比于年初量产的8层垂直堆叠的HBM3E，在给定的堆栈高度下，新产品无论堆叠层数还是容量都增加了50%，满足了更大的AI模型运行的需求，避免了多处理器运行带来的延迟问题。
美光提供的HBM3E产品拥有16个独立的高频数据通道，采用了1β（1-beta）工艺打造，封装规格为11mm x 11mm，堆叠12层的24Gb裸片，提供了36GB容量，带宽超过1.2TB/s、引脚速度超过9.2GB/s。美光将硅通孔（TSV）增加了一倍，封装互连缩小了25%，功耗比起竞品降低了30%。美光凭借先进CMOS技术创新，结合先进的封装技术，提供了改善热阻抗的结构解决方案，有助于改善立方体的整体散热表现，加上大幅度降低的功耗，为客户提供了功耗更低、散热效率更高的HBM3E产品。
台积电生态系统和联盟管理负责人Dan Kochpatcharin表示：“台积电和美光一直保持着长期的战略合作伙伴关系。作为OIP生态系统的一部分，我们密切合作，让美光基于HBM3E的系统和CoWoS封装设计能够支持客户的人工智能创新。”
目前美光正在向主要行业合作伙伴运送量产型的12层垂直堆叠HBM3E，用于整个人工智能生态系统的测试，以便获得相关的资格认证。与此同时，美光已经在开发下一代的解决方案，包括HBM4和HBM4E，继续突破DRAM性能界限，确保美光的产品可以满足AI芯片对日益增长的内存性能需求，以保持行业领先地位。
之前我们说过，在AI时代，HBM内存就是存储器市场的顶峰，而HBM3E就是目前这个顶峰上最闪亮的桂冠！如今，美光令这顶桂冠更闪亮了几分，虽然在入局上晚于SK海力士，但是HBM3E的几次大进步都有美光的身影，美光再次刷新了HBM3E内存的单片容量和带宽上限，为AI芯片带来了更强大的存储器支持，我们惊喜于美光的进步，不知道下一次的突破会是又谁主导呢？
新 闻 2： 三星宣布第9代V-NAND QLC启动量产其首款1Tb QLC闪存，计划扩大应用范围
今年4月，三星 正式 开始量产第9代V- NAND闪存 ，首批提供的是容量为1Tb的TLC闪存，进一步增强了自身在闪存市场的竞争力。现在三星 启动新款第9代V-NAND闪存的量产工作，属于其首款1Tb的QLC（四层单元）闪存，进一步巩固了三星在高容量、高性能NAND闪存市场中的地位。
三星电子执行副总裁兼闪存产品与技术负责人SungHoi Hur表示：“在距上次TLC版本量产仅四个月后，第9代V-NAND QLC闪存产品成功启动量产，使我们能够提供，能够满足人工智能时代需求的完整阵容的SSD解决方案。随着企业级SSD市场呈现日益增长的趋势，对人工智能应用的需求更加强劲，我们将通过QLC和TLC第9代V-NAND闪存继续巩固三星在该领域的市场地位。”
第9代V-NAND QLC闪存综合运用多项创新成果，实现了多项技术突破，包括：
通道孔蚀刻技术（Channel Hole Etching） - 能够基于双堆栈架构实现当前业内最高的单元层数。三星运用在第9代V-NAND TLC中积累的技术经验，优化了存储单元面积及外围电路，位密度比上一代V-NAND QLC闪存提升约86%。
预设模具（Designed Mold）技术 - 能够调整控制存储单元的字线（WL）间距，确保同一单元层内和单元层之间的存储单元的特性保持一致，达到最佳效果。V-NAND层数越多，存储单元特性越重要。采用预设模具技术使得数据保存性能相比之前的版本提升约20%，增强了产品的可靠性。
预测程序（Predictive Program）技术 - 能够预测并控制存储单元的状态变化，尽可能减少不必要的操作。这项技术进步让三星第9代V-NAND QLC的写入性能翻倍，数据输入/输出速度提升60%。
低功耗设计（Low-Power Design）技术 - 使得数据读取功耗约分别下降了约30%和50%。这项技术降低了驱动NAND存储单元所需的电压，能够仅感测必要的位线（BL），从而尽可能减少功耗。
三星计划扩大第9代V-NAND QLC闪存的应用范围，从品牌消费类产品开始，扩展到移动通用闪存（UFS）、个人电脑和服务器SSD，为包括云服务提供商在内的客户提供服务。
三星虽然在HBM内存领域上落后了，但在传统的NAND存储器领域依旧是技术储备最足的一个，这不，三星再次刷新了SK海力士此前创下的NAND闪存容量记录。我们之前一直都吐槽QLC的各种不好，这些缺点并没有随着QLC的发展而消失，但QLC的优点却越来越凸显了，毕竟它真的可以做的很“大”！容量上的优势不可抹去，QLC普及推广的洪流也不可遏止，至少，现在PLC还没有影子不是吗？
新 闻③： 慧荣科技PCIe 5.0 SSD主控SM2508测试能效表现凸显先进制程工艺作用
近日，TomsHardware对搭载SM2508的PCIe 5.0 M.2 SSD公版进行了 测试 ，发现能耗方面确实可以达到慧荣科技当初许诺的那样，群联电子（Phison）的E26和英仞科技（InnoGrit）的IG5666优游国际ub8，，而且性能表现也很好。
这款采用公版设计的PCIe 5.0 M.2 SSD为M.2 2280外形，采用了PCIe 5.0 x4接口，支持NVMe 2.0规范，加入了DDR4缓存，搭配了铠侠的162层3D TLC NAND闪存 （BiCS6），容量为1TB。其顺序读取和顺序写入速度最高分别为14GB/s和13GB/s，另外随机读取和随机写入最大均为2M IOPS。如果换成2TB或者4TB容量，性能还会有进一步提升，顺序读取和顺序写入速度最高分别为14.5GB/s和14GB/s，另外随机读取和随机写入最大均为2.5M IOPS。
在文件复制测试中，采用SM2508的PCIe 5.0 M.2 SSD比最接近的竞争对手少了近2W的功耗，不过仍然比最好的PCIe 4.0 M.2 SSD多出了大约1W，再次表明了先进制程工艺的重要性。另一方面，虽然闲置功耗表现也不错，但是仍高出PCIe 4.0 M.2 SSD，不过比其他PCIe 5.0 M.2 SSD要低。
另外，还有一条近期的消息值得一提。在PCIe 4.0时代，慧荣算是最早推出主控芯片的优游国际ub8，，但最终是起了个大早赶了个晚集，到最后市场上PCIe 4.0固态的主导也是群领，没几款慧荣方案的产品，甚至可以说都不如国产联芸方案的产品多。不过这次慧荣发布的PCIe 5.0新主控，看起来不论是性能还是功耗都要比已经发布的几款优秀不少，再加上AI时代对数据的巨量要求，或许慧荣会更具优势？目前，PCIe 5.0固态都没有几款，慧荣方案或许能够不再掉队？